MOSFET transistor - Versionshistorie

Hnl med 25. nov. 2022, 12:04

2022-11-25T12:04:06Z

← Ældre version		Versionen fra 25. nov. 2022, 14:04
Linje 24:		Linje 24:
	''El-diagramsymbol for N-kanals MOSFET transistor.''		''El-diagramsymbol for N-kanals MOSFET transistor.''

	For at strømmen skal kunne løbe gennem MOSFET transistoren, skal ”Gaten” åbnes. Det gøres ved at have en spændingsforskel mellem Gate og Source der er afhængig af MOSFET modellen. Størrelsen af Gate-Source spændingen (<math>V_{GS}</math>) styrer hvor stor en strøm der kan løbe gennem transistoren. Man kan finde en graf over sammenhængen mellem <math>V_{GS}</math> og <math>I_{DS}</math> i databladet for den MOSFET transistor man ønsker at benytte.		For at strømmen skal kunne løbe gennem MOSFET transistoren, skal ”Gaten” åbnes. Det gøres ved at have en spændingsforskel mellem <b>Gate</b> og <b>Source</b> der er afhængig af MOSFET modellen. Størrelsen af Gate-Source spændingen (<math>V_{GS}</math>) styrer hvor stor en strøm der kan løbe gennem transistoren. Man kan finde en graf over sammenhængen mellem <math>V_{GS}</math> og <math>I_{DS}</math> i databladet for den MOSFET transistor man ønsker at benytte.

	I databladet<ref>[https://www.onsemi.com/download/data-sheet/pdf/fqp30n06l-d.pdf "FQP30N06L datablad"]</ref> for en FQP30N06L N-kanals MOSFET ser vi grafen for <math>I_D</math> som funktion af <math>V_{GS}</math> som vist nedenfor. Her ses det, at der kun skal en spændingsforskel på 3 V mellem Gate og Source for at kunne trække 10 A gennem MOSFET’en. Ud fra databladet kan det endvidere læses, at <math>V_{GS}</math> maksimalt må komme op på 20 V.		I databladet<ref>[https://www.onsemi.com/download/data-sheet/pdf/fqp30n06l-d.pdf "FQP30N06L datablad"]</ref> for en FQP30N06L N-kanals MOSFET ser vi grafen for <math>I_D</math> som funktion af <math>V_{GS}</math> som vist nedenfor. Her ses det, at der kun skal en spændingsforskel på 3 V mellem <b>Gate</b> og <b>Source</b> for at kunne trække 10 A gennem MOSFET’en. Ud fra databladet kan det endvidere læses, at <math>V_{GS}</math> maksimalt må komme op på 20 V.

	[[Fil:MOSFET_FQP30N06L-VGS-ID_graf.jpg\|350px\|Graf der viser <math>I_D</math> som funktion af <math>V_{GS}</math> for FQP30N06 N-kanals MOSFET.]]<br />		[[Fil:MOSFET_FQP30N06L-VGS-ID_graf.jpg\|350px\|Graf der viser <math>I_D</math> som funktion af <math>V_{GS}</math> for FQP30N06 N-kanals MOSFET.]]<br />
Linje 45:		Linje 45:
	På diagramsymbolet ses også et diodesymbol; Det er en indbygget beskyttelsesdiode, der har samme funktion, som beskyttelsesdioden man sætter parallelt over en spole (f.eks. i et relæ). Da beskyttelsesdioden sidder i spærreretning, kan man se, at strømmen i en N-kanals MOSFET skal løbe fra Drain til Source.		På diagramsymbolet ses også et diodesymbol; Det er en indbygget beskyttelsesdiode, der har samme funktion, som beskyttelsesdioden man sætter parallelt over en spole (f.eks. i et relæ). Da beskyttelsesdioden sidder i spærreretning, kan man se, at strømmen i en N-kanals MOSFET skal løbe fra Drain til Source.

	Source på N-kanals MOSFET forbindes til minus (GND på Arduino), mens komponenten der skal styres af MOSFET'en forbindes mellem Vcc (forsyningsspænding) og Drain. En sådan opstilling ses på [[MOSFET_transistor#MOSFET styrer DC motor\|MOSFET styrer DC motor]].		<b>Source</b> på N-kanals MOSFET forbindes til minus (GND på Arduino), mens komponenten der skal styres af MOSFET'en forbindes mellem Vcc (forsyningsspænding) og <b>Drain</b>. En sådan opstilling ses på [[MOSFET_transistor#MOSFET styrer DC motor\|MOSFET styrer DC motor]].

			N-kanals MOSFET åbner for strømgennemgang fra <b>Drain</b> til <b>Source</b>, når spændingen mellem <b>Gate</b> og </b>Source</b> når den for den pågældende transistors minimumsspændning, og afhængig af spændingen mellem <b>Gate</b> og <b>Source</b> bestemmes den maksimale strøm der tillades fra <b>Drain</b> til <b>Source</b>.

	N-kanals MOSFET åbner for strømgennemgang fra Drain til Source, når spændingen mellem Gate og Source når den for den pågældende transistors minimumsspændning, og afhængig af spændingen mellem Gate og Source bestemmes den maksimale strøm der tillades fra Drain til Source.

	==P-kanals MOSFET==		==P-kanals MOSFET==
Linje 56:		Linje 57:
	På diagramsymbolet ses også et diodesymbol; Det er en indbygget beskyttelsesdiode, der har samme funktion, som beskyttelsesdioden man sætter parallelt over en spole (f.eks. i et relæ). Da beskyttelsesdioden sidder i spærreretning, kan man se, at strømmen i en P-kanals MOSFET skal løbe fra Source til Drain.		På diagramsymbolet ses også et diodesymbol; Det er en indbygget beskyttelsesdiode, der har samme funktion, som beskyttelsesdioden man sætter parallelt over en spole (f.eks. i et relæ). Da beskyttelsesdioden sidder i spærreretning, kan man se, at strømmen i en P-kanals MOSFET skal løbe fra Source til Drain.

	Source på P-kanals MOSFET forbindes til Vcc (forsyningsspændingen), mens komponenten der skal styres af MOSFET'en forbindes mellem Drain og minus (GND på Arduino). En sådan opstilling ses som en del af [[H-broen opbygget med 4 MOSFET]].		<b>Source</b> på P-kanals MOSFET forbindes til Vcc (forsyningsspændingen), mens komponenten der skal styres af MOSFET'en forbindes mellem <b>Drain</b> og minus (GND på Arduino). En sådan opstilling ses som en del af [[H-broen opbygget med 4 MOSFET]].

			P-kanals MOSFET åbner for strømgennemgang fra <b>Source</b> til <b>Drain</b>, når spændingen mellem Gate og Source når den for den pågældende transistors minimumsspændning, og afhængig af spændingen mellem <b>Gate</b> og <b>Source</b> bestemmes den maksimale strøm der tillades fra <b>Source</b> til <b>Drain</b>. Da spændingsoutputtet fra en port på Arduinoboardet er 5 V i forhold til GND, og ikke 5 V i forhold til Vcc på den forsyning der driver den komponent man ønsker at styre med MOSFETen, har man ofte behov for at bygge et signaltilpasningskredsløb der skal sidde mellem porten på mikroprocessoren, og <b>Gate</b> på P-kanals MOSFETen. Et sådant signaltilpasningskredsløb er vist til [[H-broen opbygget med 4 MOSFET]].

	P-kanals MOSFET åbner for strømgennemgang fra Source til Drain, når spændingen mellem Gate og Source når den for den pågældende transistors minimumsspændning, og afhængig af spændingen mellem Gate og Source bestemmes den maksimale strøm der tillades fra Source til Drain. Da spændingsoutputtet fra en port på Arduinoboardet er 5 V i forhold til GND, og ikke 5 V i forhold til Vcc på den forsyning der driver den komponent man ønsker at styre med MOSFETen, har man ofte behov for at bygge et signaltilpasningskredsløb der skal sidde mellem porten på mikroprocessoren, og Gate på P-kanals MOSFETen. Et sådant signaltilpasningskredsløb er vist til [[H-broen opbygget med 4 MOSFET]].

	==MOSFET styrer DC motor==		==MOSFET styrer DC motor==

Hnl: /* P-kanals MOSFET */

2022-11-25T11:31:12Z

P-kanals MOSFET

← Ældre version		Versionen fra 25. nov. 2022, 13:31
Linje 56:		Linje 56:
	På diagramsymbolet ses også et diodesymbol; Det er en indbygget beskyttelsesdiode, der har samme funktion, som beskyttelsesdioden man sætter parallelt over en spole (f.eks. i et relæ). Da beskyttelsesdioden sidder i spærreretning, kan man se, at strømmen i en P-kanals MOSFET skal løbe fra Source til Drain.		På diagramsymbolet ses også et diodesymbol; Det er en indbygget beskyttelsesdiode, der har samme funktion, som beskyttelsesdioden man sætter parallelt over en spole (f.eks. i et relæ). Da beskyttelsesdioden sidder i spærreretning, kan man se, at strømmen i en P-kanals MOSFET skal løbe fra Source til Drain.

			Source på P-kanals MOSFET forbindes til Vcc (forsyningsspændingen), mens komponenten der skal styres af MOSFET'en forbindes mellem Drain og minus (GND på Arduino). En sådan opstilling ses som en del af [[H-broen opbygget med 4 MOSFET]].

			P-kanals MOSFET åbner for strømgennemgang fra Source til Drain, når spændingen mellem Gate og Source når den for den pågældende transistors minimumsspændning, og afhængig af spændingen mellem Gate og Source bestemmes den maksimale strøm der tillades fra Source til Drain. Da spændingsoutputtet fra en port på Arduinoboardet er 5 V i forhold til GND, og ikke 5 V i forhold til Vcc på den forsyning der driver den komponent man ønsker at styre med MOSFETen, har man ofte behov for at bygge et signaltilpasningskredsløb der skal sidde mellem porten på mikroprocessoren, og Gate på P-kanals MOSFETen. Et sådant signaltilpasningskredsløb er vist til [[H-broen opbygget med 4 MOSFET]].

	==MOSFET styrer DC motor==		==MOSFET styrer DC motor==

Hnl: /* N-kanals MOSFET */

2022-11-25T11:23:19Z

N-kanals MOSFET

← Ældre version		Versionen fra 25. nov. 2022, 13:23
Linje 45:		Linje 45:
	På diagramsymbolet ses også et diodesymbol; Det er en indbygget beskyttelsesdiode, der har samme funktion, som beskyttelsesdioden man sætter parallelt over en spole (f.eks. i et relæ). Da beskyttelsesdioden sidder i spærreretning, kan man se, at strømmen i en N-kanals MOSFET skal løbe fra Drain til Source.		På diagramsymbolet ses også et diodesymbol; Det er en indbygget beskyttelsesdiode, der har samme funktion, som beskyttelsesdioden man sætter parallelt over en spole (f.eks. i et relæ). Da beskyttelsesdioden sidder i spærreretning, kan man se, at strømmen i en N-kanals MOSFET skal løbe fra Drain til Source.

			Source på N-kanals MOSFET forbindes til minus (GND på Arduino), mens komponenten der skal styres af MOSFET'en forbindes mellem Vcc (forsyningsspænding) og Drain. En sådan opstilling ses på [[MOSFET_transistor#MOSFET styrer DC motor\|MOSFET styrer DC motor]].

			N-kanals MOSFET åbner for strømgennemgang fra Drain til Source, når spændingen mellem Gate og Source når den for den pågældende transistors minimumsspændning, og afhængig af spændingen mellem Gate og Source bestemmes den maksimale strøm der tillades fra Drain til Source.

	==P-kanals MOSFET==		==P-kanals MOSFET==

Bar: /* MOSFET styrer DC motor */

2022-11-25T08:34:32Z

MOSFET styrer DC motor

← Ældre version		Versionen fra 25. nov. 2022, 10:34
Linje 56:		Linje 56:
	==MOSFET styrer DC motor==		==MOSFET styrer DC motor==
	[[Fil:MOSFET_DC-motor.png\|300px\|thumb\|right]]		[[Fil:MOSFET_DC-motor.png\|300px\|thumb\|right]]
	På el-diagrammet til højre er der anvendt en MOSFET transistor til at tænde og slukke for en DC motor. Der er anvendt en FQP30N06L [[N-~~kanals MOSFET~~\|N-kanals MOSFET transistor]]. Når spændingen ved <b>Gate</b> (G) er mellem 3-5 V vil MOSFET transistoren åbne, og der løber strøm fra til <b>Drain</b> (D) til <b>Source</b> (S), og dermed kan der løbe en strøm gennem DC motoren. Herved roterer DC motorens aksel.		På el-diagrammet til højre er der anvendt en MOSFET transistor til at tænde og slukke for en DC motor. Der er anvendt en FQP30N06L [[MOSFET_transistor#N-kanals_MOSFET\|N-kanals MOSFET transistor]]. Når spændingen ved <b>Gate</b> (G) er mellem 3-5 V vil MOSFET transistoren åbne, og der løber strøm fra til <b>Drain</b> (D) til <b>Source</b> (S), og dermed kan der løbe en strøm gennem DC motoren. Herved roterer DC motorens aksel.

Bar med 25. nov. 2022, 08:31

2022-11-25T08:31:48Z

← Ældre version		Versionen fra 25. nov. 2022, 10:31
Linje 1:		Linje 1:
			__TOC__
	[[Fil:MOSFET_TO220.png\|210px\|thumb\|right]]		[[Fil:MOSFET_TO220.png\|210px\|thumb\|right]]
	Når man vil forbinde sit Arduinoboard til ”omverdenen”, oplever man af og til, at Arduinoboardet ikke kan levere nok strøm til den komponent man vil tilkoble, eller der skal bruges en højere spænding end de 5 V som Arduinoboardet arbejder med. Hvad gør man så? Jo, så skal man have fat i en transistor…		Når man vil forbinde sit Arduinoboard til ”omverdenen”, oplever man af og til, at Arduinoboardet ikke kan levere nok strøm til den komponent man vil tilkoble, eller der skal bruges en højere spænding end de 5 V som Arduinoboardet arbejder med. Hvad gør man så? Jo, så skal man have fat i en transistor…

Hnl med 23. nov. 2022, 19:05

2022-11-23T19:05:18Z

← Ældre version		Versionen fra 23. nov. 2022, 21:05
Linje 25:		Linje 25:
	For at strømmen skal kunne løbe gennem MOSFET transistoren, skal ”Gaten” åbnes. Det gøres ved at have en spændingsforskel mellem Gate og Source der er afhængig af MOSFET modellen. Størrelsen af Gate-Source spændingen (<math>V_{GS}</math>) styrer hvor stor en strøm der kan løbe gennem transistoren. Man kan finde en graf over sammenhængen mellem <math>V_{GS}</math> og <math>I_{DS}</math> i databladet for den MOSFET transistor man ønsker at benytte.		For at strømmen skal kunne løbe gennem MOSFET transistoren, skal ”Gaten” åbnes. Det gøres ved at have en spændingsforskel mellem Gate og Source der er afhængig af MOSFET modellen. Størrelsen af Gate-Source spændingen (<math>V_{GS}</math>) styrer hvor stor en strøm der kan løbe gennem transistoren. Man kan finde en graf over sammenhængen mellem <math>V_{GS}</math> og <math>I_{DS}</math> i databladet for den MOSFET transistor man ønsker at benytte.

	I databladet for en FQP30N06L N-kanals MOSFET ser vi grafen for <math>I_D</math> som funktion af <math>V_{GS}</math> som vist nedenfor. Her ses det, at der kun skal en spændingsforskel på 3 V mellem Gate og Source for at kunne trække 10 A gennem MOSFET’en. Ud fra databladet kan det endvidere læses, at <math>V_{GS}</math> maksimalt må komme op på 20 V.		I databladet<ref>[https://www.onsemi.com/download/data-sheet/pdf/fqp30n06l-d.pdf "FQP30N06L datablad"]</ref> for en FQP30N06L N-kanals MOSFET ser vi grafen for <math>I_D</math> som funktion af <math>V_{GS}</math> som vist nedenfor. Her ses det, at der kun skal en spændingsforskel på 3 V mellem Gate og Source for at kunne trække 10 A gennem MOSFET’en. Ud fra databladet kan det endvidere læses, at <math>V_{GS}</math> maksimalt må komme op på 20 V.

	[[Fil:MOSFET_FQP30N06L-VGS-ID_graf.jpg\|350px\|Graf der viser <math>I_D</math> som funktion af <math>V_{GS}</math> for FQP30N06 N-kanals MOSFET.]]<br />		[[Fil:MOSFET_FQP30N06L-VGS-ID_graf.jpg\|350px\|Graf der viser <math>I_D</math> som funktion af <math>V_{GS}</math> for FQP30N06 N-kanals MOSFET.]]<br />
	''Graf der viser <math>I_D</math> som funktion af <math>V_{GS}</math> for FQP30N06 N-kanals MOSFET.''		''Graf der viser <math>I_D</math> som funktion af <math>V_{GS}</math> for FQP30N06 N-kanals MOSFET.''

	En anden N-kanals MOSFET er IRF520, og sammenligner man dennes <math>I_D</math> som funktion af <math>V_{GS}</math> i databladet, ses det, at hvis man ønsker man at kunne trække helt op til 10 A gennem denne, skal der være en spændingsforskel mellem Gate og Source på (mindst) 7,5 V. Det skal man tænke over, når man vælger <i>hvad</i> der skal tænde for MOSFET transistoren (f.eks. et Arduinoboard der leverer en spænding på 5 V).		En anden N-kanals MOSFET er IRF520, og sammenligner man dennes <math>I_D</math> som funktion af <math>V_{GS}</math> i databladet<ref>[https://www.vishay.com/docs/91017/irf520.pdf "IRF520 datablad"]</ref>, ses det, at hvis man ønsker man at kunne trække helt op til 10 A gennem denne, skal der være en spændingsforskel mellem Gate og Source på (mindst) 7,5 V. Det skal man tænke over, når man vælger <i>hvad</i> der skal tænde for MOSFET transistoren (f.eks. et Arduinoboard der leverer en spænding på 5 V).

Hnl med 22. nov. 2022, 20:02

2022-11-22T20:02:36Z

← Ældre version		Versionen fra 22. nov. 2022, 22:02
Linje 59:		Linje 59:

	Dioden, D1, der på el-diagrammet ses parallelforbundet med motoren, er en sikkerhedsdiode. Motoren indeholder jo en spole, og en spole bliver til en elektromagnet når man sender strøm gennem den. Når man afbryder strømmen til spolen, vil spolen selv forsøge at opretholde sit magnetfelt, og det sker ved at spolen danner en stor spænding med modsat polaritet end da strømmen løb gennem spolen. Denne spænding kan blive meget stor (afhænger af spolen og strømstyrken anvendt), men kortvarigt flere 100 V! For at forhindre dette, sættes dioden på, så når den store spænding opstår, vil strømmen løbe fra – på motoren gennem dioden D1 og til + på motoren, og dermed aflade sig selv. Alternativt ville strømmen løbe ned mod transistoren Q1, og den høje spænding ville kunne ødelægge denne.		Dioden, D1, der på el-diagrammet ses parallelforbundet med motoren, er en sikkerhedsdiode. Motoren indeholder jo en spole, og en spole bliver til en elektromagnet når man sender strøm gennem den. Når man afbryder strømmen til spolen, vil spolen selv forsøge at opretholde sit magnetfelt, og det sker ved at spolen danner en stor spænding med modsat polaritet end da strømmen løb gennem spolen. Denne spænding kan blive meget stor (afhænger af spolen og strømstyrken anvendt), men kortvarigt flere 100 V! For at forhindre dette, sættes dioden på, så når den store spænding opstår, vil strømmen løbe fra – på motoren gennem dioden D1 og til + på motoren, og dermed aflade sig selv. Alternativt ville strømmen løbe ned mod transistoren Q1, og den høje spænding ville kunne ødelægge denne.



			{{analog}}

			[[Kategori:Analog Komponenter]]

			[[Kategori:Hardware Teknologi]]

Hnl: Info om MOSFET

2022-11-22T20:01:24Z

Info om MOSFET

Ny side

[[Fil:MOSFET_TO220.png|210px|thumb|right]]
Når man vil forbinde sit Arduinoboard til ”omverdenen”, oplever man af og til, at Arduinoboardet ikke kan levere nok strøm til den komponent man vil tilkoble, eller der skal bruges en højere spænding end de 5 V som Arduinoboardet arbejder med. Hvad gør man så? Jo, så skal man have fat i en transistor…

I specifikationerne over Arduinoboardet kan man læse, at man højest kan trække 20 mA fra et portben på en Arduino<ref>[https://store.arduino.cc/arduino-uno-rev3 Arduino Uno Rev3.”]</ref>. Det er den strømstyrke man normalt anvender til at få en lysdiode til at lyse. Men hvis man har behov for at trække en større strøm, kan man anvende en transistor, der fungerer som en ”omskifter” eller ”kontakt”, og som man kan tænde og slukke via et portben på Arduinoen.

Man kan også komme ud for, at man skal kunne tænde og slukke for en komponent der arbejder på 12 V, og ikke de 5 V som Arduinoboardet gør. Det kan for eksempel være en DC motor eller en pumpe. Disse komponenter vil oftest også trække større strøm end de 20 mA et portben kan levere. Løsningen er igen en transistor.

Der findes flere slags transistorer; Der er den type der kaldes for ”småsignalstransistore”, som virker som strømforstærkere, men kun kan holde til strømme omkring de 100 mA. Disse transistortyper er beskrevet under [[Transistor]].

En anden slags transistor er en MOSFET transistor; Den virker som en tænd og sluk kontakt, hvor man ved en lav spænding (og uendelig lille strømstyrke), kan styre en stor strøm på adskillelige ampere ved store spændinger.

Kort fortalt, så har MOSFET transistoren 3 ben: Gate, Drain og Source. Når spændingen på Gate overstiger ca. 3 V (i forhold til Source), så tænder transistoren, og strøm kan løbe fra Drain til Source. Man kan se en MOSFET transistor som en styrbar kontakt, der kan styres med en spænding. Lidt som et relæ, men uden alt det mekaniske.

Nedenfor ses el-diagramsymbolet for en [[#N-kanals MOSFET|N-kanals MOSFET transistor]] af typen FQP30N06.

[[Fil:MOSFET_eldiagram.png|250px|El-diagramsymbol for N-kanals MOSFET transistor.]] 
''El-diagramsymbol for N-kanals MOSFET transistor.''

For at strømmen skal kunne løbe gennem MOSFET transistoren, skal ”Gaten” åbnes. Det gøres ved at have en spændingsforskel mellem Gate og Source der er afhængig af MOSFET modellen. Størrelsen af Gate-Source spændingen (<math>V_{GS}</math>) styrer hvor stor en strøm der kan løbe gennem transistoren. Man kan finde en graf over sammenhængen mellem <math>V_{GS}</math> og <math>I_{DS}</math> i databladet for den MOSFET transistor man ønsker at benytte.

I databladet for en FQP30N06L N-kanals MOSFET ser vi grafen for <math>I_D</math> som funktion af <math>V_{GS}</math> som vist nedenfor. Her ses det, at der kun skal en spændingsforskel på 3 V mellem Gate og Source for at kunne trække 10 A gennem MOSFET’en. Ud fra databladet kan det endvidere læses, at <math>V_{GS}</math> maksimalt må komme op på 20 V.

[[Fil:MOSFET_FQP30N06L-VGS-ID_graf.jpg|350px|Graf der viser <math>I_D</math> som funktion af <math>V_{GS}</math> for FQP30N06 N-kanals MOSFET.]] 
''Graf der viser <math>I_D</math> som funktion af <math>V_{GS}</math> for FQP30N06 N-kanals MOSFET.''

En anden N-kanals MOSFET er IRF520, og sammenligner man dennes <math>I_D</math> som funktion af <math>V_{GS}</math> i databladet, ses det, at hvis man ønsker man at kunne trække helt op til 10 A gennem denne, skal der være en spændingsforskel mellem Gate og Source på (mindst) 7,5 V. Det skal man tænke over, når man vælger hvad der skal tænde for MOSFET transistoren (f.eks. et Arduinoboard der leverer en spænding på 5 V).

[[Fil:MOSFET_IRF520-VGS-ID_graf.jpg|350px|Graf der viser <math>I_D</math> som funktion af <math>V_{GS}</math> for IRF520 N-kanals MOSFET.]] 
''Graf der viser <math>I_D</math> som funktion af <math>V_{GS}</math> for IRF520 N-kanals MOSFET.''

==N-kanals MOSFET==
Nedenfor ses el-diagramsymbolet for en N-kanals MOSFET transistor, samt visning af strømretningen gennem transistoren. 
[[Fil:MOSFET_N-ch.jpg|150px|El-diagramsymbol for N-kanals MOSFET transistor.]] [[Fil:MOSFET_N-ch_current.jpg|150px|El-diagramsymbol for N-kanals MOSFET transistor.]] 
''El-diagramsymbol for N-kanals MOSFET transistor, samt strømpil der viser strømmens retning gennem transistoren.''

På diagramsymbolet ses også et diodesymbol; Det er en indbygget beskyttelsesdiode, der har samme funktion, som beskyttelsesdioden man sætter parallelt over en spole (f.eks. i et relæ). Da beskyttelsesdioden sidder i spærreretning, kan man se, at strømmen i en N-kanals MOSFET skal løbe fra Drain til Source.

==P-kanals MOSFET==
Nedenfor ses el-diagramsymbolet for en P-kanals MOSFET transistor, samt visning af strømretningen gennem transistoren. 
[[Fil:MOSFET_P-ch.jpg|150px|El-diagramsymbol for P-kanals MOSFET transistor.]] [[Fil:MOSFET_P-ch_current.jpg|150px|El-diagramsymbol for P-kanals MOSFET transistor.]] 
''El-diagramsymbol for P-kanals MOSFET transistor, samt strømpil der viser strømmens retning gennem transistoren.''

På diagramsymbolet ses også et diodesymbol; Det er en indbygget beskyttelsesdiode, der har samme funktion, som beskyttelsesdioden man sætter parallelt over en spole (f.eks. i et relæ). Da beskyttelsesdioden sidder i spærreretning, kan man se, at strømmen i en P-kanals MOSFET skal løbe fra Source til Drain.

==MOSFET styrer DC motor==
[[Fil:MOSFET_DC-motor.png|300px|thumb|right]]
På el-diagrammet til højre er der anvendt en MOSFET transistor til at tænde og slukke for en DC motor. Der er anvendt en FQP30N06L [[N-kanals MOSFET|N-kanals MOSFET transistor]]. Når spændingen ved Gate (G) er mellem 3-5 V vil MOSFET transistoren åbne, og der løber strøm fra til Drain (D) til Source (S), og dermed kan der løbe en strøm gennem DC motoren. Herved roterer DC motorens aksel.

Dioden, D1, der på el-diagrammet ses parallelforbundet med motoren, er en sikkerhedsdiode. Motoren indeholder jo en spole, og en spole bliver til en elektromagnet når man sender strøm gennem den. Når man afbryder strømmen til spolen, vil spolen selv forsøge at opretholde sit magnetfelt, og det sker ved at spolen danner en stor spænding med modsat polaritet end da strømmen løb gennem spolen. Denne spænding kan blive meget stor (afhænger af spolen og strømstyrken anvendt), men kortvarigt flere 100 V! For at forhindre dette, sættes dioden på, så når den store spænding opstår, vil strømmen løbe fra – på motoren gennem dioden D1 og til + på motoren, og dermed aflade sig selv. Alternativt ville strømmen løbe ned mod transistoren Q1, og den høje spænding ville kunne ødelægge denne.